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（原标题：光电共封增长迅猛【BSHD-003】100％まるごと菊川愛香，复合年增长率达28.9%）
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开头：实验由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自semiconductor-digest ，谢谢。
在往常十年中，数据中心以太网交换机的容量从 0.64 Tbps 飙升至 25.6 Tbps，这成绩于 64×400 Gbps 或 32×800 Gbps 可插拔光收发器模块的接收。但是，这些高速模块在现在的外形尺寸内带来了枢纽挑战。问题包括所需的电气和光学陆续器密度，以及不停飞腾的功耗。
为了完了复古每模块 800 Gbps 及以上的下一代光学引擎，通讯速度必须翻倍至每通说念至少 100 Gbps。这种加多在交换机插座、主板和旯旮陆续器中引入了严重的信号齐全性问题，导致 SerDes 接口的功耗加多。在畴昔的以太网交换中，这些信号齐全性问题可能会导致 I/O 功耗进步交换机中枢的功耗。此外，法式可插拔模块的集成密度受到 QSFP/OSFP 外形尺寸的法例，因此需要尚未平方使用的高档热管妥洽决决策。
共封装光学器件 (CPO) 为这些挑战提供了一种有但愿的顾问决策。与传统的可插拔模子不同，CPO 将光学模块顺利集成到交换机 ASIC 基板上，从而减少了电气领域并有用顾问了信号齐全性问题。这种阵势在主要数据中心中赢得了柔顺。但是，优化 CPO 的封装战术仍然是行业捏续盘考和发展的话题。
先进半导体封装技能对共封装光学器件 (CPO) 的进攻性
数据中心中 CPO 的集成旨在擢升 I/O 带宽并降愚顽耗。光子集成电路 (PIC) 与电子集成电路 (EIC) 和开关 IC 的连合样式会显贵影响面积和旯旮带宽密度以及封装寄告成应。这些身分顺利影响收发器的 I/O 带宽和能效【BSHD-003】100％まるごと菊川愛香，这意味着不符合的集成会对消硅光子学的上风。
关于 CPO，光子和电子元件的集成不错通过各式阵势完了，每种阵势齐有特有的上风和挑战。泉源进的、仍处于研发阶段的是 3D 单片集成。这将光子元件镶嵌到现存的电子工艺节点中，只需进行最少的编削，将有源光子和启动电子元件共置在合并芯片内。这减少了寄告成应，并通过拆除对接口焊盘和凸块的需求简化了封装。但是，单片集成常常使用较旧的 CMOS 节点，导致光子性能不睬念念且能耗较高。尽管存在这些法例，但它提供了最小的阻抗失配和简化的封装。
相背，2D 集成将 PIC 和 EIC 比肩遗弃在 PCB 上，通过引线键合或倒装芯片陆续。这种阵势浅易且经济高效，但会引入显贵的寄生电感，由于单边陆续而法例总 I/O。天然 2D 集成易于封装，但对引线键合的依赖会法例收发器带宽并加多能耗，使其关于高性能期骗后果较低。
3D 混书籍成通过各式先进的半导体封装技能（包括硅通孔 (TSV)、高密度扇出、Cu-Cu 夹杂键合和有源光子中介层）将 EIC 置于 PIC 之上，从而提供更先进的顾问决策，显贵减少寄告成应。在 3D 集成中使用先进的半导体封装技能不错完了密集间距功能，从而擢升性能。但是，散热仍然是一个挑战，因为 EIC 产生的热量会影响 PIC，因此需要先进的热管妥洽决决策。尽管存在这些热挑战，但由于封装寄告成应最小化，3D 混书籍成仍可完了更高的性能。
2.5D 集成是一种折衷决策，EIC 和 PIC 齐通过 TSV 倒装到无源中介层上。这种阵势保捏了与 3D 集成访佛的可控寄生和密集间距才智，但由于需要中介层走线而加多了复杂性。天然 2.5D 集成均衡了性能、资本和制造周期，但它比 3D 混书籍成会产生更高的寄生。
总之，每种集成阵势齐存在性能、复杂性和资本之间的衡量，需要确认特定的期骗要乞降法例进行遴荐。
共封装光学器件 (CPO) 市集走势
据 IDTechEx 称，到 2035 年，共封装光学器件 (CPO) 市集限制展望将进步 12 亿好意思元 ，从 2025 年到 2035 年，复合年增长率将达到 28.9%。CPO 收罗交换机展望将成为收入开头中的主导，因为每个交换机可能集成多达 16 个 CPO PIC。东说念主工智能系统的光学互连将占市集的约 20%，每个东说念主工智能加快器常常使用一个光学互连 PIC 来高傲高档计较期骗中对高速数据处理和通讯日益增长的需求。
https://www.semiconductor-digest.com/idtechex-discusses-co-packaged-optics-cpo-packaging-technology-trends-and-market-trajectory/
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